MOS管电性能测试仪器仪表 作者:凯时AG优质运营商  来源:  时间: 2022-01-02 05:02  点击:

  普赛斯数字源表国产自主研发,性价比高,测试范围更广,输出电压高达300V,支持USB存储,一键导出报告,符合大环境下国内技术自给的需求,可及时与客户沟通,为客户提供高性价比系统解决方案,及时指导客户编程,加速测试系统开发

  ①、三极管测试时一台加在基极与发射极之间,一台加在集电极与发射极之间;MOS管测试时一台加在栅极与源极之间,一台加在漏极与源极之间;需要使用两台直流源表同步触发使用,或使用插卡式直流源表;

  ②、三极管的基极及MOS管的栅极一般耐压值较低于30V,基于最高性价比考虑,其中一台使用S100即可,另一台根据三极管的集电极或MOS管的漏极耐压而定;

  源限度:电压源:±30V(≤1A量程),±300V(≤100mA量程);

  ?分立半导体器件特性测试,电阻、二极管、发光二极管、齐纳二极管、PIN二极管、BJT三极管、MOSFET、SIC、GaN等器件;

  ?能量与效率特性测试,LED/AMOLED、太阳能电池、电池、DC-DC转换器等

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